凸点与背金工艺
当今世界正在享受5G+和人工智能技术，TF-AMD为成为技术贡献的关键参与者为傲。在TF-AMD槟城，我们提供以凸点和BSM为特色的先进封装平台。 凸点与BSM是一种先进的晶圆级封装技术（WLP），相比传统封装方法，可显著提高性能。它涵盖了三种主要技术
微凸点，包括微铜柱，具有或不具有PI再钝化层。
铜凸点，包括 Cu+SnAg or Cu+Ni+SnAg, or Cu+Ni+Cu+SnAg
背面金属化（BSM），包括 Al+Ti+NiV+Au or Ti+NiV+Au.
该产品解决方案使用铜柱形成集成电路（IC）与主板（或引线框架）之间的互连。它满足了全球消费市场对便携式电子产品日益增长的需求。
凸点与背金工艺的特性
| 晶圆尺寸： | 12 英寸 |
| 晶圆节点： | 4nm 及以上 |
| 芯片尺寸: | 小于 20×40mm |
| 凸点结构: | 0P1M, 1P1M |
| 柱状凸点: | 铜+锡银 & 铜+镍+锡银 |
| PI 材料: | HD4104 & BM406HB |
| PI CD: | ≥15 微米 |
| 凸点间距/尺寸: | 45 微米 / 25 微米 |
可靠性测试标准
测试标准为 77 个抽样单位中零缺陷。
JEDEC 湿敏等级 MSL-1：J-STD-20/JESD22-A113
| 温湿度测试 | 85°C/ 85% RH, 1000小时, JEDEC 22- A101 |
| 压力锅测试 | 121°C/ 100% RH/ 15 PSIG, 96小时, JEDEC 22- A102 |
| 温度循环测试 | -65 ~ 150°C, 500循环, JEDEC22-A104 |
| 高温存储测试 | 150°C, 1000小时, JEDEC 22- A103 |